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Vishay推出新款n沟道功率MOSFET60V2N6660JANTXJANTXV和90V2N666

发布时间:2020-02-14 10:56:08 阅读: 来源:装模车厂家

Vishay推出新款n沟道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的,分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用,这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。

Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara,已被DSCC重新认证,可采用MIL-PRF-19500标准对所生产的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的系统中,MIL-PRF-19500标准树立了对分立器件的性能、质量和可靠性要求的准绳。

今天推出的器件适用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口,继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动,以及电池供电系统和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可承受军工和航天应用中更高的温度。

60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻低至1.3Ω,栅源阈值电压为1.7V,开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型导通电阻为3.6Ω,栅源阈值电压为1.6V,开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏,以及低至35pF的典型输入电容。

2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)检验。除减少2个步骤(MIL-STD-750标准的视觉检验和加工)以降低成本以外,Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测,以进一步提高产品的可靠性。

通过JAN认证的MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

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